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赵朝辉

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京康普锡威科技有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇电场
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子迁移率
  • 1篇碳化硅
  • 1篇迁移率
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇击穿电场
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料

机构

  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇北京康普锡威...

作者

  • 1篇贺会军
  • 1篇张富文
  • 1篇卢彩涛
  • 1篇张江松
  • 1篇赵朝辉
  • 1篇王丽荣
  • 1篇张焕鹍
  • 1篇朱捷

传媒

  • 1篇新材料产业

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
第3代半导体互连材料概述
2017年
以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第3代半导体材料，是继以硅（Si）基半导体为代表的第1代半导体材料和以砷化镓（GaAs）和锑化铟（InSb）为代表的第2代半导体材料之后，在近些年发展起来的新型半导体材料。与Si相比，GaN和SiC均具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的载流子迁移率等特点.
赵朝辉朱捷张焕鹍王丽荣张江松卢彩涛张富文贺会军
关键词：半导体材料载流子迁移率禁带宽度击穿电场碳化硅氮化镓
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