陈磊
- 作品数：7 被引量：12H指数：3
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：广东省教育部产学研结合项目更多>>
- 相关领域：化学工程理学机械工程电子电信更多>>
- Y2O3掺杂量对低温烧结BST基介电陶瓷性能的影响
- 采用固相法,研究了Y2O3掺杂量对ZnO-B2O3-SiO2（ZBS,掺杂量为10wt.%）玻璃添加的Ba0.65Sr0.35（BST）基低温烧结的介电陶瓷的物相组成和显微结构及介电性能的影响。结果表明:Y2O3的掺杂并...
- 黄新友陈磊高春华邢仁克
- 文献传递
- MgNb_(2)O_(6)掺杂(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷介电性能的研究
- 2024年
- 采用固相法制备MgNb_(2)O_(6)(MNO)掺杂(Ba_(0.79)Sr_(0.21))TiO_(3)((Ba,Sr)TiO_(3))基电容器陶瓷。采用XRD、SEM等研究了MgNb_(2)O_(6)掺杂对(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷的物相、显微结构及介电性能影响。结果表明,随着MNO掺杂量的增加,(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷的介电常数逐渐减小,陶瓷的介电损耗先增大后减小再增大,陶瓷的电阻率先减小后增大再减小,陶瓷的耐压强度先减小后增大再减小。当MNO掺杂量(质量分数)为2.0%时,陶瓷的介电常数达到最大值(为1670),陶瓷的介电损耗有最小值(为0.0056)。当MNO掺杂量(质量分数)为8%时,陶瓷的电阻率有最大值(为65.23×10^(10)Ω·cm),耐压强度的最大值为7.7 kV/mm(DC)。当掺杂MNO量(质量分数)为10%时,陶瓷的电容温度变化率为+0.18%,-28.29%。MNO掺杂(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷是钙钛矿结构。掺杂MNO能够降低陶瓷的电容温度变化率。
- 陈映义陈磊彭道华陈甲天陈应和黄新友牛继恩
- 关键词：钛酸锶钡介电性能掺杂陶瓷
- 二氧化锡透明导电薄膜的研究进展被引量：4
- 2018年
- 透明导电薄膜具有透明性和导电性,在平板显示器、太阳能电池、触摸屏等领域有着重要的作用。SnO2是制备透明导电薄膜最具潜力的材料之一。结合国内外SnO2透明导电薄膜的研究现状,主要对SnO2薄膜的透明导电原理、制备方法和掺杂改性研究进展进行综述。
- 冯梦现黄新友孙景峰谢逊陈磊高春华
- 关键词：SNO2薄膜掺杂改性导电薄膜
- 不同滑动条件下H13钢的高温磨损行为被引量：3
- 2021年
- 采用销-盘式高温摩擦磨损试验机,对H13钢常规淬火与回火处理试样进行高温磨损实验,研究H13钢在400~600℃、50~150 N、50和100 r/min条件下的摩擦磨损性能。采用XRD、SEM、EDS、显微硬度计对H13钢磨面、磨损截面的结构、形貌、成分及硬度进行分析,并探讨其磨损机制。结果表明:在不同实验条件下H13钢的磨损率均随温度升高先降低后升高,其中500℃的磨损率最低,在低转速下600℃的磨损率低于400℃,而在高转速和较高载荷下则相反;在低转速下的磨损率随载荷的增加先升高后降低,而在高转速下的磨损率单调升高,且在600℃、150 N条件下发生严重磨损,而在其他滑动条件下均为轻微磨损;H13钢在高温下磨面会形成氧化物,但在高转速不利于磨面上氧化物的生成,因而生成等量的氧化物需要更高的温度;中低温下氧化物的生成起到减磨作用,磨损率下降,而在高温下H13钢基体发生回复、再结晶,力学性能较差,在高载高速下导致基体发生严重塑性挤出,轻微氧化磨损转变为严重氧化磨损。
- 陈磊姜伟崔向红王树奇
- 关键词：H13钢高温磨损磨损行为
- Bi_(2)(SnO_(3))3掺杂(Ba,Sr)TiO_(3)介电陶瓷介电性能的研究
- 2024年
- 通过传统固相法制备Bi_(2)(SnO_(3))_(3)(BSO)掺杂(Ba_(0.79)Sr_(0.21))TiO_(3)((Ba,Sr)TiO_(3),BST)陶瓷。采用XRD、SEM等研究了Bi_(2)(SnO_(3))_(3)(BSO)掺杂对BST陶瓷的物相和微观结构及介电的性能影响。实验结果表明:随着BSO掺杂量增加,BST基介电陶瓷的介电常数开始增大而后减小然后再增大随后再减小,陶瓷的介质损耗首先增大然后减小。当掺杂BSO的量是2 wt%的时候,BST基介电陶瓷具有较好的介电性能:介电常数是5430;介质损耗是0.0145,电容温度变化率是+20.64%,-45.58%。BSO掺杂的BST基介电陶瓷仍为钙钛矿结构。BSO的掺杂起到移峰和压峰的作用。
- 陈映义陈磊彭道华陈甲天陈应和黄新友牛继恩
- 关键词：钛酸锶钡介电性能掺杂陶瓷
- ZnO基透明导电薄膜的制备和掺杂改性研究进展被引量：3
- 2016年
- ZnO基透明导电膜的研究进展迅速,其光电性能已接近锡掺杂铟氧化物透明导电薄膜(ITO),而且它相比ITO薄膜易于掺杂、更易刻蚀、在等离子体中稳定性好,未来有望成为平板显示器中取代ITO薄膜的材料。概述了氧化锌基透明导电膜的制备方法和掺杂改性研究进展,对单层膜和多层膜的制备进行了分析,对氧化锌基透明导电膜的研究趋势进行了展望。
- 陈磊黄新友孙景峰谢逊冯梦现高春华
- 关键词：氧化锌透明导电薄膜掺杂改性
- Bi_4Ti_3O_(12)掺杂(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷介电性能研究被引量：2
- 2017年
- 采用传统固相法制备了Bi_4Ti_3O_(12)掺杂(Ba_(0.71),Sr_(0.29))TiO_3(BST)陶瓷。研究了Bi_4Ti_3O_(12)掺杂量对BST电容器陶瓷介电性能、物相组成和微观结构的影响。结果表明:随着Bi_4Ti_3O_(12)掺杂的增加,BST陶瓷的相对介电常数逐渐减小,介电损耗先减小然后增大,Bi_4Ti_3O_(12)掺杂后的BST陶瓷仍为钙钛矿结构。当Bi_4Ti_3O_(12)掺杂量为1.6 wt%时,BST陶瓷的综合介电性能最好,εr为3744,tanδ为0.0068,ΔC/C为+1.70%,-44.61%,容温特性符合Y5V特性。
- 陈磊黄新友冯梦现
- 关键词：钛酸锶钡电容器陶瓷介电性能陶瓷
