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胡文超

作品数:4 被引量:6H指数:2
供职机构:武汉科技大学材料与冶金学院钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室更多>>
发文基金:湖北省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇热膨胀
  • 2篇热膨胀特性
  • 2篇热震
  • 2篇热震性
  • 2篇抗热震
  • 2篇抗热震性
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇多层膜
  • 1篇多层膜结构
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电薄膜
  • 1篇团聚
  • 1篇氢气
  • 1篇相变特性
  • 1篇共沉淀
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇粉体
  • 1篇PSZ

机构

  • 4篇武汉科技大学

作者

  • 4篇胡文超
  • 3篇曾艳
  • 3篇高玉
  • 3篇陈潜
  • 3篇谢光远
  • 1篇王齐军
  • 1篇祝柏林
  • 1篇吴隽
  • 1篇吕坤
  • 1篇李珂
  • 1篇谢铭

传媒

  • 2篇武汉科技大学...
  • 1篇传感器世界
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
洗涤介质对共沉淀Mg-PSZ粉体性能的影响被引量:1
2008年
通过化学成分分析、X射线衍射和扫描电镜观察,对比分析了洗涤介质对共沉淀法制备Mg-PSZ粉体的物质损失、晶粒大小和显微结构的影响。结果表明,先采用氨水溶液洗涤、再采用酒精洗涤的粉体,物质损失量少,二次粒度小且颗粒分布较为均匀。
曾艳谢光远王齐军高玉胡文超陈潜
关键词:共沉淀团聚
粉体制备工艺对Mg0-PSZ热膨胀特性的影响
2008年
采用热膨胀仪研究了实验室制得的MgO-PSZ陶瓷的热膨胀特性。以直接共沉淀复合掺入CeO2、Y2O3和CaO的MgO-PSZ经一定条件热处理后,在550~950℃低温范围发生了单斜相→四方相相变。这一低温相变降低了MgO-PSZ的热膨胀系数,伴随相变产生的体积收缩与试样受热时的体积膨胀发生抵消,使试样表现出零膨胀特性,从而改善了材料的抗热震性。
曾艳谢光远陈潜胡文超高玉
关键词:热膨胀抗热震性
相变特性对MgO-PSZ热膨胀特性的影响被引量:3
2008年
采用热膨胀仪研究了MgO—PSZ陶瓷材料的热膨胀特性。试样在一定条件下烧结,经550950℃热处理后发生了明显的单斜相→四方相相变,此低温相变降低了MgO-PSZ的热膨胀率,其相变产生的体积收缩与受热产生的体积膨胀相互抵消,使试样表现出零膨胀特性,从而改善了材料的抗热震性能。
曾艳谢光远胡文超高玉陈潜
关键词:热膨胀抗热震性
氢气与Cu中间层对GZO薄膜光电性能的影响被引量:2
2014年
采用磁控溅射方法,在H2/Ar混合气氛下制备了GZO薄膜和在Ar气氛下制备了GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,分别研究了H2流量和Cu层厚度对薄膜透明导电性能的影响。在此基础上,在H2/Ar混合气氛下制备了GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,对Cu层厚度对其性能的影响进行了研究。结果表明,沉积气氛中引入H2能有效降低GZO薄膜的电阻率而提高其透光率,在H2流量为20 sccm时GZO薄膜具有最佳性能。随着Cu厚度的增加,GZO/Cu/GZO多层结构薄膜的电阻率和平均透过率显著下降。在H2/Ar混合气氛下制备的氢化GZO/Cu/GZO多层结构薄膜的电阻率普遍低于Ar气氛下制备的GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,但其透光率却随Cu层厚度的增加而显著降低。另外,薄膜的禁带宽度随H2流量的增加而增加,随Cu层厚度的增加而减小。
吕坤祝柏林李珂胡文超谢铭吴隽
关键词:多层膜结构透明导电薄膜光电性能
共1页<1>
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