冯志红
- 作品数：9 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 温度对硅衬底上生长石墨烯的影响被引量：1
- 2016年
- 通过化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上制备石墨烯薄膜,研究了生长温度对薄膜的影响以及石墨烯生长机理。采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、喇曼光谱、光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子谱(XPS)表征石墨烯材料。结果表明,生长温度越高,越有利于Si衬底上石墨烯薄膜的形成和连续。生长过程中,C原子渗入Si衬底表层,在其表面优先形成3C-SiC缓冲层,随后在缓冲层表面重构形成石墨烯。在Si衬底上沉积SiO_2和Si_3N_4覆盖层,发现生长过程中不再出现3C-SiC缓冲层。随着生长温度的增加,石墨烯薄膜缺陷降低,薄膜与衬底之间为范德华力。生长温度1 100℃下结晶质量最好。
- 刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶李佳芦伟立冯志红
- 关键词：石墨烯硅衬底生长温度
- 基于人工微结构阵列的太赫兹空间调制器研究进展
- 2019年
- 本文介绍了国内外太赫兹空间调制器的研究背景,阐述了太赫兹空间调制器的研究意义及应用前景。介绍了基于人工微结构阵列的太赫兹空间调制器的最新研究成果,利用太赫兹波对超材料独特的响应特性,设计出多种具有不同响应模式的人工微结构阵列,分别嵌套高电子迁移率晶体管(HEMT)和相变材料二氧化钒,制备出了基于不同外加激励下的太赫兹空间幅度调制器和相位调制器。其中,太赫兹空间幅度调制器的调制速率可到1Gbps,调制深度可达85%,相位调制器在30GHz以上的带宽内相移量可达130°。上述太赫兹器件的调制性能均处于国际领先水平,极大地提高了透射式太赫兹准光调制器的调制能力。该类器件在太赫兹通信、太赫兹成像等领域具有极大的发展空间。
- 张雅鑫梁士雄赵运成冯志红
- 关键词：太赫兹HEMT
- 太赫兹平面肖特基二极管参数模型研究
- 通过研究太赫兹平面肖特基二极管结构及材料特性,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了完整的平面二极管高频等效电路参数模型。设计了基于共面波导去嵌方法的二极管在片测试结构,对其在0.1-50GHz、75-110GHz...
- 赵向阳王俊龙邢东杨大宝梁士雄张立森冯志红
- 关键词：小信号等效电路模型
- 生长环境对SiC衬底上外延石墨烯的电性能影响研究
- 使用SiC热分解法,在Si面SiC(0001)衬底上制备了1-2层外延石墨烯材料。利用原子力显微镜、扫描电子显微镜、微区拉曼光谱、变温Hall测试仪(90K-500K)等研究了高真空和Ar惰性气氛下生长的外延石墨烯的形貌...
- 蔚翠李佳刘庆彬何泽召张雄文冯志红蔡树军
- 关键词：SIC迁移率拉曼
- 文献传递
- 基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管被引量：2
- 2019年
- 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度>400kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)>2.4。
- 车相辉梁士雄张立森顾国栋郝文嘉杨大宝陈宏泰冯志红
- 关键词：共振隧穿二极管峰谷电流比
- 蓝宝石衬底上高性能InAlN/GaN异质结及场效应晶体管研究
- 使用金属有机物气相外延方法,在蓝宝石(0001)衬底上生长高性能InAlN/GaN异质结并制备了异质结场效应晶体管.利用原子力显微镜和Hall 测试等方法研究了InAlN/GaN异质结材料特性.研究表明材料表面原子台阶平...
- 房玉龙冯志红敦少博尹甲运刘波盛百城何泽召韩婷婷张雄文邢东
- 关键词：HFET迁移率蓝宝石截止频率
- 文献传递
- N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管（英文）
- 2016年
- 由于晶格的反转和随之而来的极化场的反转,N极性面氮化物材料已经成为微波功率器件应用的理想材料之一。在2英寸(1英寸=2.54cm)偏角度4H-SiC衬底上通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法生长了N极性面GaN/AlGaN异质结材料,使用X射线衍射仪(HR-XRD)、原子力显微镜(AFM)、Raman光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)等对材料进行了表征。结果表明,N极性面GaN/AlGaN异质结材料的二维电子气面密度和迁移率分别为0.92×1013cm^(-2)和1035cm^2/(V·s)。制备了N极性GaN/AlGaN异质结场效应晶体管(HFET)。测试结果表明,1μm栅长的n极性面GaN/AlGa NHFET器件峰值跨导为88.9mS/mm,峰值电流为128mA/mm。
- 房玉龙王现彬吕元杰王英民顾国栋宋旭波尹甲运冯志红蔡树军赵正平
- 关键词：异质结
- 太赫兹共振隧穿二极管研究进展
- 共振隧穿二极管(RTD)是基于量子共振隧穿效应的一种两端负阻器件。当器件工作于负阻区时,共振隧穿二极管可以用作振荡器;当器件工作在负阻区外的强非线性区时,共振隧穿二极管可以用作检测器,因此共振隧穿二极管既可以作为信号发生...
- 冯志红梁士雄赵向阳张立森王俊龙邢东
- 关键词：共振隧穿二极管电流峰谷比
- W波段InAlN/GaN MMIC功率放大器
- 匹配的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有工作频率高、电流密度大等优势,在微波和毫米波应用领域有着巨大的应用前景.目前报道的高频率GaN基HEMT多数是采用InAlN/GaN器件,但是并没有InAlN/G...
- 宋旭波吕元杰徐鹏房玉龙冯志红
- 关键词：功率放大器氮化镓
