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宋涛

作品数:2 被引量:9H指数:2
供职机构:广东工业大学机电工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:机械工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇机械工程

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇化学机械抛光
  • 2篇机械抛光
  • 2篇芬顿
  • 2篇芬顿反应
  • 2篇SIC
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇固相
  • 1篇表面粗糙度
  • 1篇材料去除率
  • 1篇粗糙度
  • 1篇催化
  • 1篇催化剂
  • 1篇催化剂研究

机构

  • 2篇广东工业大学

作者

  • 2篇阎秋生
  • 2篇路家斌
  • 2篇徐少平
  • 2篇宋涛
  • 1篇潘继生

传媒

  • 1篇机械工程学报
  • 1篇机械设计与制...

年份

  • 2篇2017
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
单晶SiC化学机械抛光液的固相催化剂研究被引量:9
2017年
针对单晶Si C化学机械抛光使用的抛光液,研究了产生芬顿反应Fe、Fe O、Fe_2O_3、Fe_3O_4等4种铁系固相催化剂的效果。结果发现当Fe_3O_4作为催化剂时,Si C表面能够产生明显的化学反应,生成较软易去除的Si O_2氧化层,化学机械抛光时材料去除率最高达到17.2 mg/h、表面粗糙度最低达到R_a2.5 nm。相比Fe、Fe O、Fe_2O_3等固相催化剂,Fe_3O_4更适宜用作Si C的化学机械抛光。抛光液中Fe^(2+)离子浓度和稳定性是决定芬顿反应速率和稳定性的重要因素,固相催化剂电离自由Fe^(2+)能力的差异直接影响了化学抛光液中的Fe^(2+)浓度,固相催化剂电离Fe^(2+)的能力越强,抛光液中Fe^(2+)浓度就越高,芬顿反应速率越快,与Si C进行化学反应速度越快,材料去除率越高,抛光质量越好。
徐少平路家斌阎秋生宋涛潘继生
关键词:化学机械抛光芬顿反应
单晶SiC化学机械抛光液化学反应参数研究被引量:5
2017年
选择影响化学机械抛光化学反应速率的参数:催化剂浓度、氧化剂浓度、抛光液的pH值、抛光液温度等进行了试验,研究了它们对基于芬顿反应的单晶SiC化学机械抛光效果的影响规律。发现只有当H_2O_2浓度高于20%、Fe_3O_4浓度高于1.25%时,增大H_2O_2、Fe_3O_4浓度,材料去除率才会显著越高,此时材料去除速率由化学液腐蚀速度与磨料机械去除速度共同决定;低于此范围时由磨料的机械作用决定。温度升高会加速H_2O_2分解,抑制羟基自由基·OH的生成,减缓化学腐蚀,降低材料去除率。当Fe_3O_4浓度、H_2O_2浓度、pH值、抛光液温度分别为1.25%、15%、7、41℃时,化学腐蚀与机械去除的协调性及磨料的分散性较好,表面粗糙度最低;当它们分别为5%、25%、9.3、15℃时,材料去除率最高。
阎秋生徐少平路家斌宋涛
关键词:化学机械抛光芬顿反应材料去除率表面粗糙度
共1页<1>
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