您的位置： 专家智库 > >

王刚

作品数：7 被引量：56H指数：4
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇液晶
  • 4篇液晶显示
  • 3篇晶体管
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 3篇ITO薄膜
  • 2篇液晶显示器
  • 2篇退火
  • 2篇显示器
  • 1篇低压驱动
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇对比度
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇氧空位
  • 1篇液晶显示技术
  • 1篇液晶显示屏
  • 1篇液晶显示器件
  • 1篇有源

机构

  • 6篇中国科学院长...
  • 2篇吉林大学
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇北方液晶工程...

作者

  • 7篇王刚
  • 5篇杨柏梁
  • 5篇黄锡珉
  • 2篇赵超
  • 2篇杨虹
  • 2篇刘洪武
  • 1篇王刚
  • 1篇王刚
  • 1篇马凯
  • 1篇凌志华
  • 1篇袁剑峰
  • 1篇李牧菊
  • 1篇吴渊
  • 1篇唐志勇
  • 1篇杨柏梁
  • 1篇刘传珍

传媒

  • 4篇液晶与显示
  • 1篇吉林大学自然...

年份

  • 1篇2000
  • 6篇1999
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
一种低压驱动TFT液晶显示屏的方法被引量：15
1999年
介绍了一种低压驱动 Ｔ Ｆ Ｔ 液晶屏的方法。它是通过变化每行的公共电压来实现的。数据驱动器的输出电压最高只须 ５ Ｖ， 从而使 Ｌ Ｓ Ｉ数据驱动器的尺寸可以做得更小， 功耗也更低。
杨虹王刚唐志勇凌志华黄锡珉金圣经
关键词：薄膜晶体管灰度级低压驱动显示屏
硅基TFT有源矩阵液晶显示技术被引量：8
1999年
介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ），特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性。
刘传珍杨柏梁朱永福李牧菊袁剑峰王刚吴渊刘洪武黄锡珉
关键词：多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示
低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能被引量：19
1999年
研究了直流磁控溅射法制备的ＩＴＯ薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ＩＴＯ薄膜光电特性的影响。在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的ＩＴＯ薄膜，可见光透过率高于８５％，在厚度为１００ｎｍ时其方块电阻在１５０～２００Ω／□之间，并且ＩＴＯ薄膜的制备工艺完全与ＡＭＬＣＤ中ＴＦＴ器件的制作工艺兼容。
王刚王刚王刚杨柏梁黄锡珉
关键词：直流磁控溅射TIO透过率真空退火
高品质a-Si：H TFT-LCD阵列设计与工艺研究
液晶显示是目前平板显示的主流，而a-Si TFT-LCD则是液晶显示领域中 的主导显示方式。 a-Si TFT-LCD具有高分辨率、全彩色，满足视频显示，显示品质优异等 ...
王刚
关键词：局域态密度ITO薄膜
文献传递
一种薄膜晶体管开关器件的制作方法
本发明公开了一种有源液晶显示器的薄膜晶体管开关器件制作方法。在氢化非晶硅(a－Si:H)有源层上用光刻方法制作一绝缘介质层,绝缘介质层为倒梯形结构和矩形结构,上边长等于栅电极宽度,也可以小于栅电极宽度,高度大于1.5倍的...
刘洪武杨柏梁王刚朱永福黄锡珉马凯
文献传递
ITO退火膜的光学和电学特性被引量：11
1999年
对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理，并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析．结果表明，N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性，同时使ITO薄膜质量得到优化，并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性．
王刚刘宏宇赵超杨柏梁黄锡珉
关键词：ITO薄膜氧空位光学特性电学特性
高开口率TFTLCD的黑矩阵设计被引量：2
1999年
提出了一种有效提高开口率的新型黑矩阵方式的设计思想。与传统黑矩阵相比， 在不增加工序和增大工艺难度的基础上， 提高了开口率。同时， 通过对黑矩阵尺寸的优化设计，得到了较好的视角特性。将这种方式的黑矩阵应用于 ４０９ｃｍ （１６１ 英寸） Ｓ Ｘ Ｇ Ａ（１ ２８０×３ Ｒ Ｇ Ｂ×１ ０２４）全彩色液晶显示屏， 可使开口率提高 ６％ 。
王刚杨虹凌志华杨柏梁黄锡珉
关键词：黑矩阵对比度开口率液晶显示器件
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0