王涛
- 作品数：6 被引量：31H指数：3
- 供职机构：西安科技大学材料科学与工程学院材料科学与工程系更多>>
- 发文基金：江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程轻工技术与工程更多>>
- 无压浸渗法制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料工艺研究被引量：13
- 2005年
- 用有预制型的无压浸渗法制备了体积分数高达75%的碳化硅颗粒增强铝基复合材料。研究了各工艺参数对复合材料制备过程与性能的影响。结果表明:SiO2氧化膜、N2气氛和充分的保温时间有利于浸渗;浸渗温度选择1000℃比较合适;M g的质量分数为10%时浸渗能顺利进行。
- 王涛李晓池杨显锋
- 关键词：浸渗法SIO2碳化硅颗粒增强铝基复合材料体积分数保温时间
- 含锂锆乳浊釉的耐磨性能研究被引量：6
- 2005年
- 采用锂辉石代替部分长石,显著降低了釉的高温粘度,提高了锆乳浊釉的釉面光洁度和耐磨性能。同时用CaO、MgO、ZnO、BaO等完全取代了普通釉料中的K2O,Na2O,在保留了碱金属氧化物的强助熔作用的同时,提高了釉面硬度、增加了釉面耐磨性和化学稳定性。在配方设计中通过优化配比,制备了可在1180℃～1200℃烧成的光泽度良好的耐磨锆乳浊釉。并采用XRD,SEM等现代测试手段对实验釉进行了分析。提出了含Li2O、CaO、MgO、ZnO、BaO锆乳浊的耐磨机理。
- 李晓池王涛王晓刚
- 关键词：锆乳浊釉性能研究碱金属氧化物高温粘度LI2O耐磨机理
- 界面SiO_2层对SiC/Al电子封装材料热膨胀系数的影响被引量：5
- 2009年
- 用无压浸渗的方法制备了高体积分数的SiC/Al复合材料。通过改变SiC预制样品的烧结工艺来改变SiC和Al的界面状况,分析了SiC表面SiO2层的变化对SiC/Al复合材料的热膨胀系数的影响。用无压浸渗的方法可得到常温下热膨胀系数为(5.68～7.12)×10-6/K的SiC/Al复合材料。颗粒大小一定时,复合材料的热膨胀系数随着SiO2界面层的厚度增加而减小。当界面SiO2层厚度从45nm增加到2100nm时,常温下热膨胀系数从7.12×10-6/K减小到5.68×10-6/K。
- 王涛
- 关键词：热膨胀系数
- 过滤用碳化硅泡沫陶瓷的制备和性能被引量：2
- 2007年
- 将具有三维网状结构和连通孔道的高弹性聚氨酯海绵作为先驱体,选用一级品α-SiC为骨料,配以各种添加剂,分水基和非水基2种配方调制浆料,浸渍先驱体成型。采用常规烧结法和反应烧结法烧结制品,并利用XRD和SEM等测试手段对制品的结构与性能进行了分析研究。结果表明:经过反复实验研究制备的2组样品中的A-2,B-5具有代表性,通过对比A-2,B-5 2样品的性能、显微结构、晶相,确定了碳化硅泡沫瓷制备的最佳工艺方法,提出了反应烧结碳化硅泡沫瓷的烧结机理。
- 李小池王涛田爱芬李璐
- 关键词：聚氨酯海绵泡沫陶瓷
- 煅烧条件对BaTiO_3纳米粉体结构的影响被引量：2
- 2006年
- 将溶胶-凝胶法制备的钛酸钡纳米粉体在不同的条件下煅烧,然后对粉体进行激光粒度分布、红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(X-ray)、扫描电镜(SEM)等表征。实验结果表明:溶胶-凝胶法制备的样品在800℃左右的温度下煅烧2 h,并在空气中冷却,可得到粒径分布窄、颗粒均匀、纯度高的钛酸钡纳米粉体。
- 李晓池王涛聂丽华
- 关键词：煅烧条件钛酸钡粒径
- SiC/Al电子封装材料的制备工艺研究被引量：3
- 2006年
- 对用无压浸渗法制备高体积分数的SiC／Al复合材料的浸渗过程进行了分析。结果表明：温度在900～1100℃之间变化时，随着温度的升高浸渗深度增加；充分的浸渗时间可提高界面的润湿性，促使铝合金液顺利浸渗；Mg量为10%时浸渗能顺利进行；N2作为保护气氛，不但可以防止氧化，而且可以促进铝合金液对SiC颗粒的浸渗。
- 王涛王志华
- 关键词：SIC/AL复合材料无压浸渗
