2025年2月14日
星期五
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卢力
作品数:
13
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
国家科技重大专项
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相关领域:
电子电信
航空宇航科学技术
金属学及工艺
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合作作者
常虎东
中国科学院微电子研究所
刘洪刚
中国科学院微电子研究所
孙兵
中国科学院微电子研究所
王虹
中国科学院微电子研究所
薛百清
中国科学院微电子研究所
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常虎东
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:衬底 沟道 界面态密度 迁移率 半导体器件
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供职机构
所获资助
研究领域
刘洪刚
供职机构:桂林电子科技大学
研究主题:沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
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供职机构
所获资助
研究领域
孙兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
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供职机构
所获资助
研究领域
王虹
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:III-V族 衬底 III-V族半导体 氧化锗 锗
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供职机构
所获资助
研究领域
薛百清
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:衬底 锗 III-V族 二维光子晶体 硅基
发表作品
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供职机构
所获资助
研究领域
王盛凯
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:微波等离子体 衬底 含氧气体 沟道 键合
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相关人物
供职机构
所获资助
研究领域
赵威
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
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供职机构
所获资助
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