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江军

作品数：8 被引量：7H指数：2
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地区

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共 19 条 记 录，以下是 1-10
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡刚毅
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：电路 模数转换器 采样开关 比较器 跨导放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阚玲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体工艺 IC芯片 氧化物 可靠性 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付晓君
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：纳米线 场效应晶体管 ZNO纳米线 场效应管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
羊庆玲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：CMOS 抗辐射加固 相控阵雷达 总剂量辐射 VDMOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨伟
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：触发器 采样开关 A/D转换器 校正电路 时序电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李开成
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：分子束外延 SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：W波段 深槽 氮化镓 半导体 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡永贵
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：低压差 模拟集成电路 CMOS 低压差线性稳压器 基准电压源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许云
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：模拟集成电路 抑制比 NMOS 硅栅 基准电压源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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