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罗木昌

作品数：52 被引量：65H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
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孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王雷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵万顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 3C-SIC 外延层 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周勋
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：ALGAN 高分辨X射线衍射 日盲紫外 GAN 焦平面探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵文伯
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题：ALGAN 焦平面阵列 MOCVD 背照式 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵红
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题：MOCVD ALN 焦平面阵列 ALGAN 蓝宝石衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵永梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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