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张纬

作品数：5 被引量：12H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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地区

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共 14 条 记 录，以下是 1-10
徐应强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 分子束外延 锑化物 红外探测器 INAS/GASB超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 多量子阱 GAAS 垂直腔面发射激光器 GAAS/GAALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐晓华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：镓 GAAS 衬底 超高真空 砷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪海桥
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 GAAS 探测器 纳米线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩勤
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：雪崩光电探测器 GAAS 光电探测器 量子点 包层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张瑞康
供职机构：北京邮电大学
研究主题：时钟恢复 光网络 光纤通信 光电探测器 谐振腔增强型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟源
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光电探测器 RCE 半导体激光器 半导体光电探测器 光电转换
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄永清
供职机构：北京邮电大学
研究主题：光探测器 光电探测器 光通信 光纤光栅 光纤通信
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林耀望
供职机构：南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室
研究主题：砷化镓 GAAS MBE生长 分子束外延 INGAAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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