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王春林

作品数：16 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>

合作作者

领域

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机构

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地区

  • 24个北京市
  • 1个黑龙江省
  • 1个新疆
共 26 条 记 录，以下是 1-10
高见头
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 芯片 SOI器件 集成电路 封装结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 绝缘体上硅 埋氧层 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 静电保护 绝缘体上硅 漏电 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵发展
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 电路 半导体器件 漏极 单粒子翻转
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高博
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：负温度系数 电性能参数 退火效应 热敏电阻材料 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 硅化物 绝缘体上硅 功率VDMOS器件 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王立新
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：VDMOS 功率MOSFET器件 热阻 外延层 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 叠层 一字线 材料性能 布设
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI MOS器件 半导体器件 模型参数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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