您的位置： 专家智库 > >

彭劲松

作品数：6 被引量：13H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 10个电子电信
  • 3个电气工程
  • 2个自动化与计算...
  • 2个理学
  • 1个经济管理
  • 1个化学工程
  • 1个金属学及工艺
  • 1个一般工业技术
  • 1个文化科学

主题

  • 8个单片
  • 8个电路
  • 8个功率
  • 8个X波段
  • 8个GAAS
  • 7个单片集成
  • 7个单片集成电路
  • 7个电子迁移率
  • 7个砷化镓
  • 7个迁移率
  • 7个大功率
  • 6个氮化镓
  • 5个低噪
  • 5个低噪声
  • 5个低噪声放大器
  • 5个多功能芯片
  • 5个移相器
  • 4个单片低噪声放...
  • 4个单片功率放大...
  • 4个单片微波

机构

  • 10个南京电子器件...
  • 2个中国电子科技...
  • 2个微波毫米波单...
  • 1个东南大学
  • 1个南京大学
  • 1个武汉大学
  • 1个西安交通大学
  • 1个中国科学院
  • 1个华中理工大学
  • 1个电子工业部
  • 1个电子部
  • 1个中华人民共和...
  • 1个华莹电子有限...

资助

  • 4个国家自然科学...
  • 3个江苏省自然科...
  • 2个国家教育部博...
  • 1个国防科技技术...
  • 1个国防科技重点...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个国家重点基础...
  • 1个教育部科学技...
  • 1个四川省自然科...
  • 1个国家杰出青年...
  • 1个江苏省高技术...
  • 1个江苏省科技支...
  • 1个国家部委预研...
  • 1个国家部委资助...
  • 1个国家重点实验...
  • 1个微波毫米波单...
  • 1个中国科学院知...

传媒

  • 10个固体电子学研...
  • 7个电子与封装
  • 3个半导体技术
  • 3个Journa...
  • 3个电子学报
  • 3个电子元器件应...
  • 3个2001全国...
  • 3个第六届全国毫...
  • 3个第十二届全国...
  • 3个2001年全...
  • 2个稀有金属
  • 2个功能材料与器...
  • 2个电子元件与材...
  • 2个微纳电子技术
  • 2个中国电子科学...
  • 2个2010年全...
  • 2个第六届全国分...
  • 2个第十五届全国...
  • 2个2010’全...
  • 1个电镀与精饰

地区

  • 10个江苏省
共 10 条 记 录，以下是 1-10
李光超
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 微波单片集成电路 X波段 PIN限幅器 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭龙新
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 低噪声放大器 单片 GAAS 单片低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐波
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 GAAS MMIC GAN 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李真
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PIN限幅器 单片 X波段 GAAS 大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡利康
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 英寸 掩膜 二进制 焦深
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐世军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 功率放大器 功率管 内匹配 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈韬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 功率管 P波段 氮化镓 微波功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 PHEMT GAAS 孤子解 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0