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王亮

作品数：37 被引量：89H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵永梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵万顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 外延层 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王雷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑婉华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 半导体激光器 激光器 光子晶体激光器 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
渠红伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 垂直腔面发射激光器 发散角 半导体激光器 光子晶体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁瑾
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电极 牺牲层 锚点 MEMS 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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