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肖兵

作品数：8 被引量：19H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
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合作作者

领域

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地区

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共 14 条 记 录，以下是 1-10
杨谟华
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：SIGE 电流崩塌 表面态 CMOS GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于奇
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈勇
供职机构：电子科技大学自动化工程学院
研究主题：操作系统 OS/2 并行处理 MOSFET P2P
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘玉奎
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：微电子机械系统 击穿电压 硅薄膜 MEMS 压力传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨沛锋
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院微电子科学与工程系
研究主题：MOSFET 模型参数提取 SI 分子束外延 锗硅合金
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李竞春
供职机构：电子科技大学
研究主题：SIGE MOS器件 CMOS 沟道 SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严顺炳
供职机构：四川固体电路研究所
研究主题：CMOS单片集成 CMOS 放大器 单片集成电路 带宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭超元
供职机构：中国电子产品可靠性与环境试验研究所
研究主题：MOSFET 互扩散 模型参数提取
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢孟贤
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院
研究主题：砷化镓 微电子 SIGE 双极型晶体管 微电子技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向展
供职机构：电子科技大学
研究主题：栅氧化层 沟道 半导体技术 电流 本征
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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