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赵志飞

作品数：52 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信化学工程文化科学一般工业技术更多>>

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共 19 条 记 录，以下是 1-10
李赟
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：碳化硅 外延片 硅外延 外延层 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：氮化物 成核 单晶薄膜 氮化镓 氮化铝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱志明
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：硅衬底 碳化硅薄膜 载气 超晶格 层数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张东国
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：氮化物 氮化铝 成核 氮化镓 晶体质量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴维丽
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：外延片 集成电路 微波功率器件 碳化硅 D试验
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆东赛
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：层数 分子泵 降温过程 机械泵 碳化钽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹志军
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：超晶格结构 超晶格 层数 GAAS衬底 半导体薄膜材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴云
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：石墨烯 场效应晶体管 电极 自对准工艺 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹越
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：玻璃钝化 硅 二极管 坏点 墨点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高汉超
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：发射极 基极 外延片 超晶格结构 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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