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刘传洋

作品数：14 被引量：71H指数：4
供职机构：西安电子科技大学更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>

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领域

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地区

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共 23 条 记 录，以下是 1-10
张廷庆
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘家璐
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄伟军
供职机构：苏州科技学院
研究主题：单片机 短消息 充电装置 GSM短信 GSM
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宝平
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 总剂量 辐照 MOS器件 CMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭宏论
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 MOS器件 半导体器件 辐照效应 大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖金球
供职机构：苏州科技大学
研究主题：GPRS 电动汽车 单片机 系统设计 ARM
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王剑屏
供职机构：中芯国际集成电路制造有限公司
研究主题：碳化硅 MOS器件 金属-氧化物-半导体器件 辐照效应 阈值电压漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚育娟
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：MOS器件 总剂量效应 半导体器件 辐照效应 大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐娜军
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：MOS器件 辐照 电子系统 辐照效应 阈值电压漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄智
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：MOS器件 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率 金属-氧化物-半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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