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吴巨

作品数：33 被引量：32H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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合作作者

领域

  • 63个电子电信
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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

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  • 1个天津市
  • 1个福建省
共 66 条 记 录，以下是 1-10
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 衬底 砷化铟 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王宝强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MBE 量子点 MBE生长 分子束外延 INGAAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
莫培根
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：GAAS单晶 半绝缘 单晶 砷化镓 衬底材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范缇文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 分子束外延 X GAAS SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈涌海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 衬底 协变 光学 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范向群
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：衬底材料 单晶炉 单晶 坩埚 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘宁
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点材料 砷化铟 盖层 分子束外延 宽光谱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶小玲
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 砷化镓 量子点激光器 GAAS INAS/GAAS量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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