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姚育娟

作品数：16 被引量：68H指数：5
供职机构：西北核技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
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合作作者

领域

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机构

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资助

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传媒

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  • 6个空间科学学报

地区

  • 21个陕西省
  • 3个新疆
  • 2个上海市
共 26 条 记 录，以下是 1-10
何宝平
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 总剂量 辐照 MOS器件 CMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭宏论
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 MOS器件 半导体器件 辐照效应 大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姜景和
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：质子 MOS器件 剂量率 单粒子效应 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗尹虹
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：单粒子效应 单粒子 单粒子翻转 总剂量效应 CMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张廷庆
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王桂珍
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：剂量率 SRAM 中子辐照 CMOS电路 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周辉
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：电磁脉冲 X射线 电缆 数值模拟 HEMP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王剑屏
供职机构：中芯国际集成电路制造有限公司
研究主题：碳化硅 MOS器件 金属-氧化物-半导体器件 辐照效应 阈值电压漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘家璐
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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