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傅义珠

作品数:22 被引量:36H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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38 条 记 录,以下是 1-10
王因生
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 功率晶体管 硅脉冲功率晶体管 L波段 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王佃利
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 微波功率晶体管 LDMOS 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
盛国兴
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 微波 功率 大功率管 硅脉冲功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李相光
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 硅脉冲功率晶体管 双极晶体管 功率晶体管 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康小虎
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅脉冲功率晶体管 硅 功率晶体管 微波功率晶体管 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁晓明
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 功率管 大功率管 微波脉冲 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张树丹
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:功率晶体管 硅 硅脉冲功率晶体管 双极晶体管 微波功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴学梅
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅脉冲功率晶体管 大功率管 功率晶体管 功率 结温
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林川
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:S波段 功率晶体管 高增益 硅脉冲功率晶体管 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志楠
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 L波段 功率管 宽带 硅脉冲功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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