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梁琨

作品数：23 被引量：25H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 26 条 记 录，以下是 1-10
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 多量子阱 砷化镓 垂直腔面发射激光器 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜云
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多量子阱 激光器 微腔激光器 INGAASP/INP 谐振腔增强型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈弘达
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 垂直腔面发射激光器 电极 硅基 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐君
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 并行光传输 并行光发射模块 多量子阱 VCSEL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛陆虹
供职机构：天津大学
研究主题：光接收机 CMOS 标准CMOS工艺 光互连 光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨晓红
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 雪崩光电探测器 谐振腔增强型 谐振腔增强型光电探测器 光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓晖
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多量子阱 倒装焊 DBR INGAAS/GAAS 光电子器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
裴为华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电极 垂直腔面发射激光器 绝缘层 并行光传输 植入式
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申荣铉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 并行光发射模块 VCSEL 10GBIT/S 并行光传输
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 硅 锗 半导体材料 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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