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乐伶聪

作品数：24 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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赵德刚
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 紫外探测器 衬底 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨静
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 波导 外延片 非掺杂 氮化镓基激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晓静
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：成核 太阳能电池 载流子 MOCVD生长 INGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘宗顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 氮化镓基激光器 波导 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江德生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 砷化镓 衬底 量子点 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 波导 氮化镓基激光器 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何晓光
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：成核 太阳能电池 载流子 MOCVD生长 INGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴亮亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：太阳能电池 欧姆接触 P-GAN INGAN/GAN INGAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨辉
供职机构：中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 欧姆接触电极 紫外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：太阳能电池 欧姆接触 P-GAN INGAN/GAN VCSEL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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