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杨健

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>

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共 7 条 记 录，以下是 1-7
宁瑾
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电极 牺牲层 锚点 MEMS 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
司朝伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锚点 电极 压电层 MEMS 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵永梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩国威
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锚点 电极 MEMS 压电层 掩膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁秀琴
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：干法刻蚀 自对准 电子束曝光 光刻胶 SIO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 谐振器 纳米尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 微装配 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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