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吴德馨

作品数：128 被引量：184H指数：8
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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领域

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资助

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传媒

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地区

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共 112 条 记 录，以下是 1-10
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
和致经
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN 欧姆接触 HEMT ALGAN/GAN_HEMT 钛
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申华军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 欧姆接触 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周静涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：肖特基二极管 硅基 钝化层 肖特基 太赫兹
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王润梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：异质结双极晶体管 GAAS 自对准 INGAP/GAAS_HBT ICP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
葛霁
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HBT INP DHBT 磷化铟 功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪刚
供职机构：桂林电子科技大学
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙海锋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS_HBT 异质结双极晶体管 INGAP/GAAS ALIGNED 氮化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘健
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：欧姆接触 氮化镓器件 接触系统 铝 钛
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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