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王建农

作品数:19 被引量:55H指数:3
供职机构:香港科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金香港特区政府研究资助局资助项目国家攀登计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

领域

  • 39个理学
  • 37个电子电信
  • 22个一般工业技术
  • 16个机械工程
  • 15个电气工程
  • 11个文化科学
  • 8个化学工程
  • 8个自动化与计算...
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  • 2个自然科学总论
  • 1个矿业工程
  • 1个冶金工程
  • 1个动力工程及工...

主题

  • 32个光致
  • 32个发光
  • 30个光致发光
  • 30个半导体
  • 28个量子
  • 25个导体
  • 25个光谱
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  • 21个光学
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  • 19个发光研究
  • 18个X
  • 18个GAAS
  • 17个光致发光研究
  • 16个砷化铟
  • 16个退火
  • 16个晶体管
  • 15个光荧光
  • 15个半导体材料

机构

  • 25个中国科学院
  • 20个香港科技大学
  • 7个西安理工大学
  • 3个中山大学
  • 3个香港大学
  • 2个北京大学
  • 2个东华大学
  • 2个北京航空航天...
  • 2个四川大学
  • 2个集成光电子学...
  • 1个河北师范大学
  • 1个北京师范大学
  • 1个广西大学
  • 1个合肥工业大学
  • 1个河北大学
  • 1个清华大学
  • 1个西安交通大学
  • 1个南通大学
  • 1个西安电子科技...
  • 1个厦门大学

资助

  • 38个国家自然科学...
  • 17个国家重点基础...
  • 17个国家攀登计划
  • 17个香港特区政府...
  • 10个国家高技术研...
  • 7个江苏省自然科...
  • 7个中国博士后科...
  • 6个国家教育部博...
  • 5个国家重点实验...
  • 5个陕西省自然科...
  • 4个陕西省教育厅...
  • 4个博士科研启动...
  • 4个上海市科学技...
  • 4个中国科学院重...
  • 3个广西大学科研...
  • 3个河北省自然科...
  • 3个南通市应用研...
  • 3个中国科学院知...
  • 3个南通大学自然...
  • 2个北京市自然科...

传媒

  • 31个Journa...
  • 24个物理学报
  • 20个红外与毫米波...
  • 14个物理
  • 13个固体电子学研...
  • 11个半导体技术
  • 11个发光学报
  • 9个第五届全国分...
  • 8个微纳电子技术
  • 7个人工晶体学报
  • 7个功能材料与器...
  • 6个高等学校化学...
  • 6个光子学报
  • 6个西安理工大学...
  • 6个半导体光电
  • 5个电子学报
  • 5个中国激光
  • 5个西安电子科技...
  • 5个第十二届全国...
  • 4个光电子.激光

地区

  • 18个北京市
  • 9个四川省
  • 6个陕西省
  • 2个安徽省
  • 2个江苏省
  • 1个上海市
  • 1个广东省
  • 1个广西
42 条 记 录,以下是 1-10
陈治明
供职机构:西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系
研究主题:碳化硅 SIC DC-DC变换器 变换器 开关电容
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
葛惟昆
供职机构:清华大学理学院物理系
研究主题:能级 外加磁场 测量方法 深能级瞬态谱 诺贝尔物理学奖
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马剑平
供职机构:西安理工大学
研究主题:碳化硅 3C-SIC 生长速率 坩埚 碳化硅粉
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
雷天民
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:样片 退火 石墨烯 碳膜 CU膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉琦
供职机构:中国科学院固体物理研究所
研究主题:砷化镓 MN 稀磁半导体 光探测器 光电晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡宝宏
供职机构:香港科技大学
研究主题:3C-SIC 薄层 碳化硅 SI衬底 XPS分析
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
葛惟锟
供职机构:香港科技大学
研究主题:砷化镓 光致发光 静压 ZNS INAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢刚
供职机构:西安理工大学自动化与信息工程学院
研究主题:单电子晶体管 库仑阻塞 3C-SIC 硅 纳米结构制备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
庞起
供职机构:广西大学化学化工学院
研究主题:发光性能 钙钛矿 水热合成 太阳能电池 SUB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐仲英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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