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戴显英

作品数：243 被引量：182H指数：8
供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
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张鹤鸣
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡辉勇
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宣荣喜
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋建军
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
舒斌
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：BICMOS 应变SI 双极器件 光刻 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦帅
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：晶圆 绝缘层 塑性形变 氮化硅 非晶化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
祁林林
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：晶圆 绝缘层 塑性形变 氮化硅 非晶化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁彬
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：晶圆 绝缘层 塑性形变 氮化硅 非晶化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周春宇
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：BICMOS 应变SI 双极器件 光刻 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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