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刘伟

作品数:25 被引量:16H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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江德生
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:超晶格 砷化镓 衬底 量子点 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张耀辉
供职机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题:超晶格 聚光器 砷化镓 聚光 空间光调制器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑厚植
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 半导体 量子点 GA 自旋
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔丽秋
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 红外探测器 GAAS/GAALAS 超晶格 红外
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾宇昕
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:离子注入 光致发光 硅基薄膜 双注入 发光薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋春英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS/GAALAS 红外探测器 INAS/GAAS量子点 GAALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨小平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 超晶格 激子 砷化铝 自组织
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王若桢
供职机构:北京师范大学物理学系
研究主题:半导体 纳米晶体 量子点 SE 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐萍
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:场效应晶体管 6H-SIC 碳化硅 场效应器件 材料特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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