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彭晔

作品数:5 被引量:12H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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地区

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12 条 记 录,以下是 1-10
李秉臣
供职机构:北京工业大学
研究主题:欧姆接触 光电子器件 量子阱激光器 欧姆接触电极 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱洪亮
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:激光器 多量子阱 磷化铟 分布反馈激光器 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
廖显伯
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:太阳电池 非晶硅 H A-SI 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李成
供职机构:厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心
研究主题:锗 光电探测器 SI基 SI 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王红杰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:阵列波导光栅 波导 硅基二氧化硅 SIO 火焰水解法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
成步文
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 锗 光电探测器 探测器 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨沁清
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅 光致发光 阵列波导光栅 解复用器 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余金中
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:SOI 光开关 硅基 波导 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建中
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:INP 混合气 CH H 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱家廉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体激光器 反应离子刻蚀 GAAS 垂直腔面发射激光器 DBR
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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