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王义

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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共 5 条 记 录，以下是 1-5
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 太赫兹 GAN 微光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
栗锐
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 势垒 4H-SIC HFET 干法刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐永刚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 内匹配 晶体管 C波段 大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡昱
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：C波段 晶体管 内匹配 大功率 KU波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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