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王姝睿

作品数：8 被引量：15H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

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地区

  • 13个北京市
共 13 条 记 录，以下是 1-10
刘忠立
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI FPGA 英文 集成电路 SIMOX
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尚也淳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 SIC 6H-SIC 反型层 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐萍
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：场效应晶体管 6H-SIC 碳化硅 场效应器件 材料特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高翠华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：ALGAN 氮化镓 双异质结 6H-SIC 肖特基势垒二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘焕章
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：牺牲层 多孔硅 英文 氧化多孔硅 聚酰亚胺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王良臣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 发光二极管 共振隧穿二极管 RTD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁桂荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SIO 二氧化硅 可靠性 热氧化 MOS电容
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于芳
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：现场可编程门阵列 FPGA 电路 布局布线 逻辑单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚文卿
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化物 半导体器件 负电极 自钝化 平面结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马红芝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：埋氧层 注氮 MOS电容 6H-SIC N型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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