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孙宝刚

作品数：23 被引量：8H指数：2
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地区

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卢烁今
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘栅双极晶体管 IGBT器件 闩锁 漂移 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱阳军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT IGBT器件 集电极 绝缘栅双极晶体管 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵佳
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT 绝缘栅双极晶体管 元胞 闩锁 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴振兴
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：击穿电压 绝缘栅双极晶体管 闩锁 衬底 场限环
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
左小珍
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：元胞 绝缘栅双极晶体管 槽栅 IGBT 版图
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田晓丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 IGBT器件 绝缘栅双极晶体管 衬底 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵红旭
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 短沟道效应 热载流子效应 GATE 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
海潮和
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 PDSOI 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周锁京
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：场效应晶体管 EOT CMOS VLSI 亚微米
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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