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林罡

作品数:40 被引量:73H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

  • 63个电子电信
  • 16个理学
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  • 1个冶金工程
  • 1个建筑科学
  • 1个水利工程

主题

  • 43个砷化镓
  • 42个电路
  • 38个晶体管
  • 35个GAAS
  • 34个集成电路
  • 32个迁移率
  • 32个放大器
  • 31个电子迁移率
  • 31个高电子迁移率
  • 30个芯片
  • 30个高电子迁移率...
  • 28个毫米波
  • 28个MMIC
  • 27个单片
  • 24个单片集成
  • 22个氮化镓
  • 20个单片集成电路
  • 16个低噪
  • 16个低噪声
  • 16个低噪声放大器

机构

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  • 7个中国电子科技...
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  • 4个中国科学技术...
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  • 2个教育部
  • 2个中国科技大学
  • 2个中国电子科技...
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  • 1个华中科技大学
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  • 1个南京信息工程...
  • 1个西安电子科技...

资助

  • 22个国家自然科学...
  • 8个国家重点基础...
  • 7个国家高技术研...
  • 6个国家教育部博...
  • 6个微波毫米波单...
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  • 4个江苏省自然科...
  • 4个教育部科学技...
  • 3个国家杰出青年...
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  • 3个国家部委资助...
  • 3个中国科学院知...
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传媒

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  • 6个第十五届全国...
  • 5个火控雷达技术
  • 5个电子器件
  • 5个光电子技术

地区

  • 58个江苏省
  • 4个安徽省
  • 1个北京市
63 条 记 录,以下是 1-10
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾东铭
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 加速寿命试验 MMIC 微波单片集成电路 GAAS_MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 PHEMT GAAS 孤子解 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章军云
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS PHEMT 光刻机 单片 电镀镍
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭啸
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:微光 GAAS 砷化镓 场效应管 高电子迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈韬
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAN 功率管 P波段 氮化镓 微波功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾洁
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:显微镜 微光 GAAS_MMIC 故障树 故障定位
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛斌
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:磷化铟 DHBT 太赫兹 INP INGAAS/INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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