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段宝兴
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207
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H指数:4
供职机构:
西安电子科技大学
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合作作者
杨银堂
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
袁嵩
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
曹震
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
董自明
西安电子科技大学
杨鑫
西安电子科技大学
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杨银堂
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗
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袁嵩
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:击穿电压 漂移区 异质结场效应晶体管 ALGAN/GAN 高电场
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曹震
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:场效应管 金属氧化物半导体 击穿电压 多数载流子 半绝缘多晶硅
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董自明
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:晶体管 衬底 电荷补偿 场效应 双极
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杨鑫
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:纵向电场 异质结 宽带隙半导体材料 硅材料 击穿电压
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吕建梅
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:多数载流子 半绝缘多晶硅 金属氧化物半导体 宽带隙半导体 击穿电压
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李春来
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:击穿电压 比导通电阻 埋层 场效应管 表面电场
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李肇基
供职机构:电子科技大学
研究主题:击穿电压 功率器件 SOI 导电类型 功率半导体器件
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袁小宁
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:击穿电压 表面电场 场效应管 电场分布 JUNCTION
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张琛
供职机构:西北大学
研究主题:测试用例 特征点 社交网络 UML2.0 脊椎
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