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段小蓉

作品数：17 被引量：26H指数：3
供职机构：北京大学更多>>
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共 10 条 记 录，以下是 1-10
谭长华
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 英文 场效应晶体管 超薄栅氧化层 软击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许铭真
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 英文 场效应晶体管 超薄栅氧化层 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何燕冬
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 沟道 漏极 阈值电压 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
穆甫臣
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：欧姆接触 可靠性 场效应晶体管 扩散阻挡层 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王彦刚
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：超薄栅氧化层 软击穿 SI/SIO2 N-MOSFET 栅电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨国勇
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：MOS器件 热载流子应力 英文 超薄栅 氧化层陷阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘晓卫
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 陷阱电荷 氧化层 分析方法 弛豫
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王阳元
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 逻辑器件 沟道 SOI 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
霍宗亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 沟道 闪存 介质层 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾高升
供职机构：北京大学
研究主题：超薄栅氧化层 MOS器件 超薄栅 负偏压温度不稳定性 可靠性研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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