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吴东海

作品数：22 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐应强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 分子束外延 锑化物 红外探测器 INAS/GASB超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪海桥
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 GAAS 探测器 纳米线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王国伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 红外探测器 探测器 INAS/GASB超晶格 锑化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵欢
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 覆盖层 量子点 微米 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张石勇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：快速热退火 分子束外延 覆盖层 微米 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 多量子阱 GAAS 垂直腔面发射激光器 GAAS/GAALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩勤
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：雪崩光电探测器 GAAS 光电探测器 量子点 包层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭红玲
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：键合 雪崩光电探测器 外延片 GAAS 垂直腔面发射激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊永华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INAS量子点 分子束外延 单光子 过渡层 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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