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唐昭焕

作品数:75 被引量:31H指数:3
供职机构:中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
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79 条 记 录,以下是 1-10
谭开洲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 VDMOS 半导体器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构:电子科技大学
研究主题:深槽 W波段 氮化镓 半导体 绝缘层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨永晖
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 介质层 深槽 绝缘层 多晶硅栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡刚毅
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:电路 模数转换器 采样开关 比较器 跨导放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王健安
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:比较器 采样开关 模数转换器 跨导放大器 单位增益带宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王斌
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:VDMOS 半导体工艺 牺牲层 高强度气体放电灯 电子镇流器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:SIGE_HBT 异质结双极晶体管 SIGE 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟怡
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 绝缘层 深槽 半导体器件 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔伟
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 漂移区 场效应 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘嵘侃
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:SIGE_HBT 半导体器件 烘培 自对准 模拟集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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