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冯建

作品数:24 被引量:11H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

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地区

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谭开洲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴建
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:多晶硅 氧化层 牺牲层 微电子机械系统 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构:电子科技大学
研究主题:W波段 深槽 氮化镓 半导体 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世六
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王大平
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:硅片表面 镜检 点子 等离子体刻蚀 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题:SIGE 电流崩塌 表面态 CMOS GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴建
供职机构:重庆中科渝芯电子有限公司
研究主题:键合 SOI材料 SOI 压应力 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李智囊
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体器件 叉子 MEMS传感器 氧化层 多晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈俊
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:SOI 半导体集成电路 恒定跨导 集成电路 化学机械抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李肇基
供职机构:电子科技大学
研究主题:击穿电压 功率器件 导电类型 SOI 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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