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毛淑娟

作品数：44 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 18个北京市
共 18 条 记 录，以下是 1-10
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 金属硅化物 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许静
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 衬底 隧道结 磁矩 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘战峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 半导体器件 悬臂梁 沟道 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张青竹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 纳米片 叠层 金属栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李永亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 半导体 晶体管 源区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁擎擎
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 介质层 半导体 沟道 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘金彪
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 掺杂 衬底 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦长亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 栅极 沟道 鳍片 侧墙
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 纳米线 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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