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王彦硕

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

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共 9 条 记 录，以下是 1-9
邹鹏辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：电子束蒸发 GAAS INP基 金膜 TI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 太赫兹 GAN 微光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS PHEMT 孤子解 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐筱乐
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：离子注入 砷化镓 GAALAS/GAAS 平面波导 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩克锋
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 晶体管 Y型 沟道 GAAS_PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾洁
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：显微镜 微光 GAAS_MMIC 故障树 故障定位
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡立康
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 N型 接触电阻 挖槽 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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