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朱煜开

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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地区

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12 条 记 录,以下是 1-10
张正元
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:微电子机械系统 硅薄膜 多晶硅 电路 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王斌
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:VDMOS器件 VDMOS 半导体工艺 抗辐射加固 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阚玲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体工艺 IC芯片 氧化物 可靠性 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张扬波
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:氧化物 欧姆接触 双极集成电路 双极电路 湿法腐蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘玉奎
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:微电子机械系统 击穿电压 硅薄膜 MEMS 压力传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:深槽 半导体 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许生健
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:氧化物 欧姆接触 双极集成电路 双极电路 湿法腐蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
欧宏旗
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体结构 半导体材料 击穿电压 浅结 散结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王大平
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:硅片表面 镜检 点子 等离子体刻蚀 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐昭焕
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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