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9 条 记 录,以下是 1-9
毛友德
供职机构:合肥工业大学
研究主题:金刚石薄膜 金刚石 MESFET 旁栅效应 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏冠群
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MESFET 离子注入 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵建龙
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:微流控芯片 芯片 微管道 基因芯片 纳米金
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵福川
供职机构:东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
研究主题:MESFET 砷化镓 旁栅效应 沟道电流 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁珺
供职机构:合肥工业大学应用物理系
研究主题:GAAS衬底 旁栅效应 光敏特性 电路 砷化镓衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘汝萍
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 MESFET 阈值电压均匀性 背栅效应 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李传海
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 MESFET 阈值电压均匀性 阈值电压 光照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛剑波
供职机构:合肥工业大学电子科学与应用物理学院
研究主题:时域有限差分法 不连续性 压电陶瓷 滤波器 微带
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
易茂祥
供职机构:合肥工业大学
研究主题:电路 锁存器 测试数据压缩 片上网络 硬件开销
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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