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刘英坤

作品数：5 被引量：6H指数：2
供职机构：河北半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

领域

  • 14个电子电信
  • 8个电气工程
  • 1个理学

主题

  • 9个晶体管
  • 8个增益
  • 8个半导体
  • 6个电阻
  • 6个微波功率
  • 6个脉冲
  • 6个LDMOSF...
  • 5个欧姆接触
  • 5个功率增益
  • 5个沟道
  • 5个沟道长度
  • 5个比接触电阻
  • 5个N型
  • 5个CW
  • 4个栅结构
  • 4个射频功率
  • 4个双极晶体管
  • 4个屏蔽
  • 4个屏蔽层
  • 3个电流增益

机构

  • 14个河北半导体研...
  • 2个中国电子科技...
  • 1个南京大学
  • 1个中国电子科技...
  • 1个机电部

资助

  • 3个国家重点基础...
  • 1个国防科技技术...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个教育部科学技...
  • 1个国家部委资助...

传媒

  • 11个半导体技术
  • 8个第三届中国国...
  • 4个Journa...
  • 2个微纳电子技术
  • 2个2010年全...
  • 2个2010’全...
  • 1个电子学报
  • 1个南京大学学报...
  • 1个西北大学学报...
  • 1个微电子学与计...
  • 1个强激光与粒子...
  • 1个电子工业专用...
  • 1个电子器件
  • 1个微电子学
  • 1个国防制造技术
  • 1个第九届全国抗...
  • 1个第九届中国国...

地区

  • 13个河北省
  • 1个江苏省
共 14 条 记 录，以下是 1-10
邓建国
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：TI PT N型 NI 比接触电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵丽华
供职机构：南京大学
研究主题：辐照 MOS器件 功率MOSFET 氧空位 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨勇
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：TI PT N型 NI 比接触电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郎秀兰
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：MO LDMOSFET GATE FETS FET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张颖秋
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：大功率晶体管 硅 功率晶体管 脉冲放大器 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦龙
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：TI PT N型 NI 比接触电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔占东
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：4H-SIC 等离子体波 高功率 脉冲源 管芯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴坚
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：LDMOSFET CW 沟道长度 功率增益 微波功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李飞
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：VDMOSFET 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 屏蔽层 屏蔽 射频功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡顺欣
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：硅 亚微米 P波段 屏蔽 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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