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张政

作品数：5 被引量：9H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

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共 14 条 记 录，以下是 1-10
康耀辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 GAAS T形栅 截止频率 INGAAS/INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩春林
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP基 电子束光刻 MESFET 4H-SIC 空气桥
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴少兵
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 电子束直写 低噪声放大器 GAN高电子迁移率晶体管 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦芳
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：放大器 波段 GAN高电子迁移率晶体管 NM 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高喜庆
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HEMT 高电子迁移率晶体管 一致性 INGAAS/INP INALAS/INGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：东南大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹鹏辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：电子束蒸发 GAAS INP基 金膜 TI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱赤
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分辨率 光刻胶 流淌 线宽 特征尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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