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冯志红

作品数：9 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
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地区

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共 33 条 记 录，以下是 1-10
梁士雄
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 超材料 共振隧穿二极管 HEMT 肖特基二极管
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邢东
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 击穿电压 硫钝化 GAAS GAASMESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
房玉龙
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 电极 倍频电路 肖特基二极管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何泽召
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：金刚石 石墨烯 场效应晶体管 色心 石墨烯材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张立森
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 共振隧穿二极管 MOCVD生长 高电流密度 峰谷电流比
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡树军
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微波器件 GAN SIC_MESFET MMIC 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔚翠
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：金刚石 石墨烯 色心 场效应晶体管 石墨烯材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王俊龙
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 共振隧穿二极管 肖特基二极管 肖特基 小信号等效电路模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张雄文
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：GAAS_MMIC SEM分析 迁移率 场效应晶体管 HFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾国栋
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：倍频器 太赫兹 半导体器件 肖特基二极管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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