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冯志宏

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 4个电子电信
  • 2个理学
  • 1个金属学及工艺
  • 1个一般工业技术

主题

  • 4个应力
  • 4个应力分析
  • 4个SI(111...
  • 4个SI衬底
  • 4个GAN
  • 4个GAN材料
  • 4个MOCVD
  • 4个衬底
  • 3个异质结
  • 3个迁移
  • 3个迁移率
  • 2个氮化镓
  • 2个电流
  • 2个电流密度
  • 2个电学
  • 2个电子迁移率
  • 2个电子阻挡层
  • 2个淀积
  • 2个调制掺杂
  • 2个多量子阱

机构

  • 4个中国电子科技...
  • 2个河北半导体研...
  • 2个中国电子科技...
  • 2个专用集成电路...

资助

  • 2个国家自然科学...
  • 2个国家部委资助...
  • 2个河北省自然科...
  • 1个国家重点基础...

传媒

  • 4个第十届全国M...
  • 2个半导体技术
  • 2个Journa...
  • 2个微纳电子技术
  • 2个第十三届全国...
  • 1个科技通报
  • 1个物理学报
  • 1个红外与毫米波...
  • 1个半导体光电
  • 1个第十六届全国...
  • 1个第十五届全国...
  • 1个第十一届全国...
  • 1个2011’全...
  • 1个2013‘全...

地区

  • 2个河北省
共 4 条 记 录，以下是 1-4
梁栋
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：MOCVD GAN材料 GAN SI衬底 SI
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尹甲运
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 场效应晶体管 氮化物 衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁凤坡
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 SI衬底 HEMT GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘波
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：GAN 异质结 场效应晶体管 MOCVD HFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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