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RF-PECVD生长参数对石墨烯薄膜品质的影响: 2025年; 对比不同工艺参数条件下生长的石墨烯薄膜的形貌和品质,分别研究了高频功率、放电气压、气体流量比、生长时间、生长温度以及基底种类对双频放电的RF-PECVD制备的石墨烯薄膜品质影响。实验结果表明,石墨烯的缺陷程度随着高频功率的增加而降低,但是薄膜的厚度随着高频功率的增加而减小。在3 Torr及5 Torr的条件下,石墨烯薄膜存在着较多的边界状缺陷。甲烷/氩气流量比为10:30、生长时间为40 min时,能够生长出品质较好的石墨烯薄膜。生长温度对石墨烯薄膜的生长影响较大,在300℃时,镍基底表面无法生长出石墨烯薄膜,并且生长温度低于600℃时,都无法生长出品质较好的石墨烯薄膜。最后发现,相同的生长条件,在镍基底上生长的石墨烯薄膜厚度更小,但是铜基底生长的石墨烯薄膜缺陷更少,品质更好,这与薄膜在两种基底上不同的生长方式有关。; 袁强华任江枫殷桂琴

RF-PECVD制备铜基石墨烯薄膜及其力学性能研究: 2025年; 采用射频等离子体化学气相沉积设备,以甲烷为气相碳源,以紫铜箔片为基底制备石墨烯薄膜镀层。研究了温度对其力学性能的影响。结果表明:随反应温度的增加,铜基石墨烯薄膜的平均摩擦系数呈下降趋势,其显微硬度与抗腐蚀能力均呈先上升后下降趋势。当温度为750℃时,铜基石墨烯薄膜缺陷度相对达到最低,微观形貌平整性与覆盖率最高,其平均摩擦系数、显微硬度与腐蚀电位分别为0.186、113.6 HV、0.805 V。此时,样品的综合力学性能达到相对最优值。; 马会中及元书张兰; 关键词：力学性能

HJT电池RF-PECVD a-Si:H薄膜沉积的多物理场仿真: 异质结太阳能电池(Heterojunction solar cells,HJT)有望成为下一代主流商用太阳能电池结构,其中含氢非晶硅(Hydrogenated Amorphous Silicon,a-Si:H)薄层的制备...; 廖佳; 关键词：RF-PECVD 非晶硅薄膜

用RF-PECVD法制备类金刚石薄膜被引量：8: 2021年; 用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在硅衬底上沉积类金刚石(DLC)薄膜,通过控制甲烷(CH4)与氩气(Ar)流量的比值(V_(CH4)/V_(Ar))分别在上极板和下极板上沉积制备出一系列DLC薄膜,用Raman光谱等检测技术表征了DLC薄膜的结构、表面粗糙度、表面形貌和硬度。结果表明:随着V_(CH4)/V_(Ar)比例的改变在下极板可制备出含有不同sp^(3)和sp^(2)杂化态比例(S_(sp)^(3)/S_(sp)^(2))的DLC薄膜。随着V_(CH4)/V_(Ar)的提高,在下极板沉积的DLC薄膜的S_(sp)^(3)/S_(sp)^(2)杂化态比值先上升后下降,V_(CH4)/V_(Ar)=1时的S_(sp)^(3)/S_(sp)^(2)杂化态比值达到最高1.34;而在上极板沉积的DLC样品其S_(sp)^(3)/S_(sp)^(2)比例没有明显的变化。在上极板进气口沉积样品比在下极板出气口沉积样品重复性好,样品更光滑致密、硬度更高。; 熊文文何嵩郑淞生程其进沈宏勋陈朝; 关键词：RF-PECVD 类金刚石薄膜

RF--PECVD法制备石墨烯薄膜及其力学性能研究: 石墨烯拥有优良的性能，可以用于电子与光电子器件、复合材料、能量存储和生物医学工程和其他领域。现代石墨烯研究的主要方向为探索新的石墨烯衍生物以及其在产品和器件制造领域中的应用。将石墨烯应用于电子器械或精密元件的制造中可延长...; 及元书; 关键词：RF-PECVD 氢气力学性能

RF--PECVD法在铜基底上制造含氢类多层DLC薄膜及其力学性能与抗腐蚀性能研究: 铜箔在电子信息、连接器、音视频传输和锂离子电池等领域，铜箔都存在很广泛的应用，但存在耐腐蚀性差与导电性差的问题。类金刚石(DLC)薄膜是一类近年来崛起的新型材料，其性质是属于亚稳态的非晶碳膜，薄膜内部杂化键组成以sp2和...; 丁后文; 关键词：类金刚石薄膜力学性能; 文献传递

RF-PECVD制备DLC薄膜的研究及M/DLC/M光电器件的初探: 类金刚石薄膜(Diamond Like Carbon,DLC)是一种无定形碳的亚稳态材料,在其无序网络中主要包含sp2和sp3,部分时候还有sp1杂化碳的存在形式。DLC由于具有柔性微结构,尤其是其可调节的光学带隙,可应...; 沈宏勋; 关键词：光学带隙

基于RF-PECVD法制备的类金刚石薄膜研究及a-DLC(P)/c-Si(n)/c-Si(n+)异质结太阳能电池的数值模拟: 本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在硅衬底上沉积类金刚石(DLC)薄膜,对比了在不同甲烷(CH4)、氩气(Ar)流量比(VCH4/VAt)与沉积位置(上极板、下极板)时类金刚石薄膜中sp3杂化态...; 熊文文; 关键词：类金刚石膜异质结太阳能电池

RF-PECVD制备硼掺杂氢化非晶硅氧(a-SiO_x∶H)薄膜及其光电特性研究: 2018年; 采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法,在不同CO2与硅烷气体流量比（RC=[CO2]/[SiH4]=0.0、0.5、1.0、2.0）、衬底温度（TS=200℃）、乙硼烷掺杂浓度（RB=[B2H6]/[SiH4]=1.5%）、高氢稀释比（RH=[H2]/[SiH4]=200）、高气压（220 Pa）和高功率密度（1 W·cm^-2）条件下制备一系列氢化非晶硅氧（a-SiOx∶H）薄膜。通过分光光度计（UV-VIS）透射谱分析薄膜折射率n、光学带隙Eg与RC的关系;采用绝缘电阻测试仪进行变温暗电导测试,分析讨论暗电导σd、激活能Ea与RC的关系;运用傅里叶变换红外光谱（FTIR）对薄膜的键合模式及薄膜中氧、氢含量进行分析表征。结果显示,随RC增加,薄膜光学带隙展宽,折射率减小,激活能Ea增大,费米能级向导带底移动,薄膜缺陷增多。; 刘小娇施光辉殷俊传刘虹霞涂晔胡志华; 关键词：硼掺杂激活能

石墨烯薄膜的RF-PECVD法制备及其特性研究: 石墨烯具有独特的二维蜂窝状结构以及优异的物理和化学特性，被誉为“新材料之王”。近年来，各国的政府、企业和科研院所对石墨烯的研究极为重视，开启了石墨烯的研究热潮。化学气相沉积法是大规模制备高品质石墨烯薄膜的最有利方法之一。...; 刘璐; 关键词：形貌表征

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