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天津市重大科技攻关项目(043801211)

作品数:4 被引量:28H指数:4
相关作者:刘玉岭王娟李薇薇周建伟檀柏梅更多>>
相关机构:河北工业大学中国工程物理研究院更多>>
发文基金:天津市重大科技攻关项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇化学机械抛光
  • 3篇机械抛光
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇蓝宝石衬底
  • 2篇硅溶胶
  • 2篇衬底
  • 1篇有机碱
  • 1篇溶胶
  • 1篇抛光
  • 1篇清洗剂
  • 1篇纳米硅溶胶
  • 1篇活性剂
  • 1篇
  • 1篇LCD

机构

  • 4篇河北工业大学
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 4篇刘玉岭
  • 3篇李薇薇
  • 3篇王娟
  • 2篇檀柏梅
  • 2篇周建伟
  • 1篇舒行军
  • 1篇牛新环
  • 1篇李广福
  • 1篇张建新

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇微电子学
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 2篇2006
  • 2篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
钽抛光及抛光机理的探究被引量:6
2006年
为拓宽CMP技术应用领域,研究了中国工程物理研究院机械制造工艺研究所提供的钽片的抛光,打破过去以机械加工为主的加工手段,采用提高化学作用的方法,加入螯合剂、有机碱、活性剂等助剂,对钽进行抛光。结果发现,钽表面的粗糙度较小,表面状态良好,说明增强化学作用可以提高抛钽效果。对钽的CMP机理做了分析与推测,为钽CMP进一步研究奠定了基础。
王娟刘玉岭张建新舒行军
关键词:化学机械抛光
蓝宝石衬底片的精密加工被引量:12
2006年
对SiO2磨料抛光蓝宝石衬底片进行了研究。结果表明,采用大粒径、高浓度的SiO2磨料抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。抛光的适宜温度及pH值条件为:T=30℃;12.0>pH值≥9.0。并且,在抛光时应加入适量添加剂,方可获得较为理想的表面状态和较高的去除速率。实验同样证明,这种低成本、高质量的抛光除了可以应用于蓝宝石的抛光以外,还可以应用在其它一些硬质材料的抛光工艺中。
王娟刘玉岭檀柏梅李薇薇周建伟
关键词:蓝宝石化学机械抛光硅溶胶
一种新型的LCD清洗剂被引量:4
2005年
详细分析了目前液晶显示屏狭缝中的污染物来源,通过大量实验利用有机碱、活性剂和JFC找到的一种新型LCD清洗液,并且达到了较好的清洗效果,形成了一整套新型的清洗技术。
李薇薇刘玉岭李广福
关键词:LCD有机碱活性剂
蓝宝石衬底片化学机械抛光的研究被引量:7
2005年
为了提高蓝宝石化学机械抛光(CMP)效果,对其抛光工艺进行了研究。采用SiO2磨料对蓝宝石衬底片进行抛光,分析了抛光时的温度、pH条件、磨料粒径及浓度,结果表明,采用80nm大粒径、高浓度的SiO2磨料,既可以保证抛光速率,又能得到良好的表面状;当pH值在10~12时,可加速蓝宝石在碱性条件下的化学反应速率,从而提高抛光速率;在30℃时,能较好地平衡化学作用与机械作用,获得平滑表面;加入适量添加剂,可增大反应产物的体积,易于提高机械作用的效果,以获得较高的去除速率。
王娟刘玉岭檀柏梅李薇薇周建伟牛新环
关键词:蓝宝石化学机械抛光纳米硅溶胶
共1页<1>
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