福建省自然科学基金(2002H020)
- 作品数：7 被引量：34H指数：3
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- 新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源被引量：4
- 2006年
- 运用带隙基准的原理，采用0．5μm的CMOS（Complementary Metal—Oxide Semiconductor）工艺，设计了一个新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源．HSPICE仿真结果表明：电源电压‰最低可达1．9V，在温度-30～125℃范围内，电源电压VDD在1．9～5．5V的条件下，输出基准电压VREF=（1．225±0．0015）V，温度系数为γTC=14．75×10^-6／℃，直流电源电压抑制比（PsRR）等于50dB．在温度为25℃且电源电压为3V的情况下功耗不到15μW．整个带隙基准电压源具有良好的性能．
- 胡洪平冯勇建
- 关键词：带隙基准电压源CMOS启动电路
- 一种低功耗CMOS带隙基准电压源的实现被引量：17
- 2007年
- 运用带隙基准的原理,提出了一种带启动电路的低功耗带隙基准电压源电路。HSPICE仿真结果表明,在25℃3、.3 V下,电路功耗为16.88μW;另外,在-30-125℃范围内,1.9-5.5V下,输出基准电压VREF=1.225±0.0015 V,温度系数为γTC=14.75×10^-6/℃,电源电压抑制比（PSRR）为86 dB。该电路采用台积电（TSMC）0.35μm 3.3 V/5 V CMOS工艺制造。测试结果显示,电路功耗仅为16.98μW。
- 冯勇建胡洪平
- 关键词：带隙基准电压源CMOS启动电路
- CMOS数字集成温度传感器的开发被引量：3
- 2008年
- 为了准确监测65 nm工艺的高速CPU芯片的工作温度,以保证CPU工作时风扇的运转以及过热报警,本文介绍了0.6μm的CMOS工艺设计实现的一种集成I2C总线通讯的具有远程测温功能的智能温度传感芯片.详细介绍了串联晶体管结构和Δ-ΣA/D转换技术、非重叠的控制时钟和CMOS开关的消除电荷注入误差的设计,使温度精度达到0.2℃;输出数字信号与I2C总线通讯的接口设计简化了后续信号处理和接口电路设计.测试结果表明,检测的温度范围从-15℃到95℃,本地温度误差在1℃以内,远程温度误差在0.75℃以内.
- 张少嘉冯勇建陈有炼
- 关键词：基准电流源I2C
- 一种具有高输出精度及电源电压抑制能力的CMOS环形振荡器的设计被引量：5
- 2008年
- 振荡器是许多电子系统的主要部分．相对于晶体振荡器，基于CMOS工艺的环形振荡器具有良好的抗震动及抗电磁干扰性能，在车载系统等震动及电磁干扰条件较为严酷的应用场合表现出优势．本文介绍了一种频率为8MHz的CMOS环形振荡器的设计，工作电压范围是2．7～5．5V，工作温度范围是-40～125℃．该振荡器对CMOS环形振荡器的固有缺点进行了针对性的设计．设计中使用的改进的延时单元以及激光校准电路克服了CMOS环形振荡器输出频率片间偏差较大的缺点；使用内部电压源以及电源电压无关的电流源，克服了其易受电源电压影响的弱点．该CMOS振荡器使用HSPICE软件仿真工具设计，并采用UMC0．6um工艺制作，测试验证结果表明，电源电压从2．7V变化到5．5V，振荡器输出频率最大变化范围为±4％．
- 叶春晖冯勇建
- 关键词：环形振荡器激光校准
- 一种低功耗、高保真音频功率放大器的研发
- 2008年
- 就解决现有音频功率放大器中噪声高、失调大的问题,设计制作了一种0.6μm线宽的低压、低失真AB类音频功率放大器.器件采用BTL结构的差动输出,以简单的结构达到高质量音频重现.在设计中,采用前馈式AB类控制方式解决静态电流的控制,并增加浮动AB类控制减小失配,改善了传统AB类放大在噪声、失调等方面的性能.实验测试结果表明,供电电压为5 V时在关断模式下,将静态电流消耗减小到0.2μA以下;电源抑制比高于80 dB;总谐波失真在1%内.
- 陈有炼冯勇建张少嘉
- 关键词：CMOS音频功率放大器
- 基于义齿压力检测的MEMS电容式压力传感器的研制被引量：3
- 2006年
- 评价一对义齿的好坏必须了解其对口腔下方组织的作用力情况,文中根据电容式压力传感器的原理,采用MEMS工艺,结合义齿在口腔中的工作环境,研制出一种新型的医用MEMS电容式压力传感器.将传感器分布式埋植入义齿基托内,对口腔下方组织的作用力进行测试,测试结果表明,该传感器能够准确地测定出义齿下方粘膜及粘膜下方的骨组织所承受的力和力的分布.该传感器结构稳定,测量稳定性好,适用于口腔恶劣环境下测定义齿对口腔下方组织作用力的测定.
- 胡洪平林雁飞冯勇建
- 关键词：义齿医用传感器MEMS
- 一种恒流输出大屏幕LED驱动CMOS芯片的电路设计被引量：3
- 2009年
- LED显示屏已经成为各类户外户内的广告宣传展示的首选媒介。LED以其寿命长,功耗低节能环保的优点,深受照明和显示行业的欢迎。因此,LED的驱动芯片在市场上也有很大的需求。本文介绍了一种恒流输出大屏幕LED驱动CMOS芯片的设计,工作电压范围是3.3V-5.5V,工作温度范围是-40℃-125℃。该驱动芯片对恒流输出和各路匹配性进行针对性的设计。以外接电流共同调节16路恒流电流大小,串行数字输入输出分别控制16路使能状态,使能端输入PWM信号,对恒流输出进行脉宽调节。该芯片使用HSPICE软件仿真工具设计,并采用HYNIX0.5μm工艺制作,测试验证结果表明,各路恒流输出位间电流误差最大为±2%.
- 胡思静冯勇建
- 关键词：CMOSPWM控制
