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国家高技术研究发展计划(2001AA122032)

作品数：5 被引量：12H指数：2
相关作者：陈弘达毛陆虹王志功申荣铉高鹏更多>>
相关机构：中国科学院东南大学天津大学更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 13个北京市
  • 8个江苏省
  • 3个天津市
共 24 条 记 录，以下是 1-10
陈弘达
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 垂直腔面发射激光器 电极 硅基 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛陆虹
供职机构：天津大学
研究主题：光接收机 CMOS 标准CMOS工艺 光互连 光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高鹏
供职机构：天津大学电气与自动化工程学院
研究主题：CMOS 轮毂电机 单片集成 英文 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申荣铉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 并行光发射模块 VCSEL 10GBIT/S 并行光传输
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志功
供职机构：东南大学信息科学与工程学院
研究主题：CMOS CMOS工艺 英文 神经信号 光纤通信
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙增辉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 面发射激光器 CMOS CMOS工艺兼容 光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周毅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：并行光传输 垂直腔面发射激光器 VCSEL 并行光发射模块 甚短距离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔增文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：CMOS 多项目晶圆 衬底 硅基 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 多量子阱 砷化镓 垂直腔面发射激光器 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐君
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 并行光传输 并行光发射模块 多量子阱 VCSEL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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