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国家科技重大专项(2011ZX02708-003)
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刘洪刚
王盛凯
许维
常虎东
赵威
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刘洪刚
供职机构:桂林电子科技大学
研究主题:沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
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王盛凯
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:微波等离子体 衬底 含氧气体 沟道 键合
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许维
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:键合 热压键合 点压 合法 晶圆片
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所获资助
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常虎东
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:衬底 沟道 界面态密度 迁移率 半导体器件
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赵威
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
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卢力
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:势垒 III-V族半导体 氧化锗 锗 沟道
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王英辉
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:键合 衬底 压阻 压力传感器 半导体器件
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陈大鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
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孙兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
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徐杨
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:薄膜晶体管 键合 点压 热压键合 沟道
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